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Lecia EM TIC-3X 三離子剖面拋光機

 

Leica EM TIC-3X Triple Ion-Beam Milling System (SEM Mill)
 

適用於任何材料,獲得一高品質且平整的剖面以作為 OM / SEM / EDS / WDS / EBSD 觀察分析

離子束拋光技術使拋光刻蝕速率更快更準確,拋光後的基材上獲得更平坦,均勻性更高的表面,具備優異的試片製備技術,能定點切中微小區域,快速製備出滿足高解析度電子顯微鏡拍攝條件及微區域成分分析的理想觀察試片,可提供完整的樣品檢測。

EM TIC 3X 獨特的三重聚焦離子束系統可優化製備質量並減少工作時間。

專門為易受機械應力破壞材料所設計,如:金屬、封裝晶片、高分子等
  • EBSD 試樣前處理
  • 超薄鍍層 (1um以下)
  • 電子材料中較脆弱之金屬層
  • 材料結構之細微缺陷、孔隙
  • 因應試樣需求可採用 Cross Section polish or Flat polish 來製備試樣,搭配上方 M80 立體顯微鏡 (~230x) 達到精確對位且能即時觀察。
 
 
特色:
  1. 三支 ion guns 一次製備大範圍
    Cross Section polish 面積達 4x1 mm
    Flat polish 面積達 dia.25mm
  2. 大尺寸試樣,輕鬆製備
    Cross Section Polish 試樣體積:50x50x10 mm
    Flat polish 試樣體積:dia.38x12(H) mm
  3. 過程中可以透過立體顯微鏡或 HD-TV CCD 觀察,即時調整試樣位置,
  4. 只針對目標物作用,不會產生任何機械力
  5. 配置 Leica M80 立體顯微鏡,對位精度高達5um
  6. 四分割光源,依試樣需求調整,看見更多細節
  7. 使用多樣品載台最多可同時置入三個樣品一同製備,節省人力、時間
  8. 可搭配冷凍載台進行低溫製備,適合各式溫度敏感材料
  9. 直觀介面,操作簡單、輕鬆上手
  10. 內置式真空系統, 提供一個無振動的觀察視野
  11. 相容 Leica EM TXP 定點切片機,依樣品需求提供完整製備方案

規格
EM TIC 3X 三離子剖面拋光機機規格
機台尺寸 738 (D) x 500 (W) x 720 (H) mm (含M80)
電壓 100-230VAC / 50 -60Hz
功率 300W
ion gun 數量 三支 ion gun
切割速率 up to 300 μm/hr (100 Si at 10 keV, averaged value of 2 hrs)
最大樣品尺寸 50x50x10 mm
cross section plish 面積 4x1 mm
X移動距離 ±5mm
Y移動距離 ±1mm
Z移動距離 6mm
flat plish 最大樣品尺寸 dia.38x12(H)mm 
flat plish 面積 dia.25mm
傾角 0-48
旋轉角度 ±20°, ±45°, ±90°, ±180°, ±360°
旋轉速度 4, 7, 10 rpm
X移動距離 ± 12.5 mm
重量 70 kg
介面 LCD控制面版
顯微鏡光學倍率 M80 ( 28.8x-230x )
燈源 四分割環型燈/LED同軸光