EM TIC 3X 三離子剖面拋光機
Lecia EM TIC-3X 三離子剖面拋光機
Leica EM TIC-3X Triple Ion-Beam Milling System (SEM Mill)
汎達嚴選代理德國大廠Leica離子拋光機，利用氬離子束進行拋光，無一般物理研磨拋光會造成的應力破壞，並能解決軟性材料在研磨過程中出現的延展問題，離子拋光機是實驗室、科技廠及有材料分析需求企業的優質選擇。 離子拋光機適用於任何材料，獲得一高品質且無應力破壞的剖面以作為 OM / SEM / EDS / WDS / EBSD 觀察分析。
離子束拋光技術使拋光刻蝕速率更快更準確，拋光後的基材上獲得更平坦，均勻性更高的表面，具備優異的試片製備技術，能定點切中微小區域，快速製備出滿足高解析度電子顯微鏡拍攝條件及微區域成分分析的理想觀察試片，可提供完整的樣品檢測。
EM TIC 3X 獨特的三重聚焦離子束系統可優化製備質量並減少工作時間。
離子拋光機專門為易受機械應力破壞材料所設計，如：PCB板、金屬、封裝晶片、高分子等，各種材料
- EBSD 試樣前處理
- 超薄鍍層 (1um以下)
- 電子材料中較脆弱之金屬層
- 材料結構之細微缺陷、孔隙
- 因應試樣需求可採用 Cross Section polish or Flat polish 來製備試樣，搭配上方 M80 立體顯微鏡 (~230x) 達到精確對位且能即時觀察。
特色:
- 三支 ion guns 一次製備大範圍
Cross Section polish 面積達 4x1 mm
Flat polish 面積達 dia.25mm - 大尺寸試樣，輕鬆製備
Cross Section Polish 試樣體積：50x50x10 mm
Flat polish 試樣體積：dia.38x12(H) mm - 過程中可以透過立體顯微鏡或 HD-TV CCD 觀察，即時調整試樣位置，
- 只針對目標物作用，不會產生任何機械力
- 配置 Leica M80 立體顯微鏡，對位精度高達5um
- 四分割光源，依試樣需求調整，看見更多細節
- 使用多樣品載台最多可同時置入三個樣品一同製備，節省人力、時間
- 可搭配冷凍載台進行低溫製備，適合各式溫度敏感材料
- 直觀介面，操作簡單、輕鬆上手
- 內置式真空系統， 提供一個無振動的觀察視野
- 相容 Leica EM TXP 定點切片機，依樣品需求提供完整製備方案
規格：
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EM TIC 3X 三離子剖面拋光機規格 |
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機台尺寸 |
738 (D) x 500 (W) x 720 (H) mm (含M80) |
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電壓 |
100-230VAC / 50 -60Hz |
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功率 |
300W |
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ion gun 數量 |
三支 ion gun |
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切割速率 |
up to 300 μm/hr (100 Si at 10 keV, averaged value of 2 hrs) |
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Cross Section Polisher |
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最大樣品尺寸 |
50x50x10 mm |
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cross section plisher 面積 |
4x1 mm |
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X移動距離 |
±5mm |
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Y移動距離 |
±1mm |
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Z移動距離 |
±6mm |
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Flat Milling |
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flat Milling 最大樣品尺寸 |
dia.38x12(H)mm |
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flat plish 面積 |
dia.25mm |
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傾角 |
0-30∘ |
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旋轉角度 |
±20°, ±45°, ±90°, ±180°, ±360° |
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旋轉速度 |
4, 6, 10 rpm |
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X移動距離 |
± 12.5 mm |
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重量 |
70 kg |
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介面 |
LCD控制面版 |
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顯微鏡光學倍率 |
M80 ( 28.8x-230x ) |
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燈源 |
四分割環型燈/LED同軸光 |