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208 HR 高解析濺射鍍膜機 (High Resolution Sputter Coater)

208 HR 高解析濺射鍍膜機提供了真正的解決方案,可以解決在困難樣品上進行FESEM成像時遇到的問題。 FESEM 應用需要極薄細緻且均勻的塗層,以消除殘留電荷並改善低密度材料的對比度。

為了最大程度地減小靶材晶粒尺寸的影響,208 HR提供了全方位的濺鍍材料,並對厚度和沈積條件進行了空前的控制。 

208 HR 渦輪增壓高真空系統可提供廣泛的工作壓力,從而可以精確控制鍍層的均勻性和一致性,最大程度地減少電荷累積所造成的影響,高 / 低腔室的配置可輕鬆調整目標到樣品的距離。

MTM-20 高解析膜厚偵測器的分辨率優於 0.1nm,這可以實現精確且可重現的超薄鍍層,尤其是在 0.5-3nm 範圍內,這是FESEM 應用常見所需的厚度。

FESEM 應用的首選濺鍍靶材是:
  • Pt / Pd:用於非導電樣品的通用高分辨率鍍層材料
  • Cr:非常適合半導體材料和高分辨率背散射電子成像
  • Ir:極佳的,幾乎沒有顆粒影響的鍍層塗料

208 HR 系統具有多種配置,可為您的應用提供最佳的高解析鍍層。 208 HR 可以配備標準的旋轉幫浦或乾式渦旋幫浦已實現最佳的真空應用。標準208 HR 包括 鉻和 鉑 / 鈀 作為靶材。另外還有 208 HR 銥,該靶提供了優異的細顆粒塗層,可在各種樣品上進行高分辨率 FE-SEM 成像。
 

主要特點
  1. 多種鍍層材料- 磁控管的頭部設計和高效的氣體處理能力使目標材料的選擇範圍更廣。
  2. 精密厚度控制- 使用 MTM-20 高解析膜厚偵測器針對 FESEM 工作電壓進行厚度的優化。
  3. 多角度載台移動- 自轉、行星式移動和傾斜載台,即使在形貌高低落差大的樣品上也可確保均勻鍍層,並具有出色的一致性。
  4. 多個樣品架-提供了四個樣品架,可以容納直徑最大為 32mm 的樣品。
  5. 可變的腔體形狀-腔體幾何形狀用於調整濺鍍沉積速率以優化鍍層結構。
  6. 真空壓力範圍廣-獨立的濺射功率和真空壓力調節允許在 0.2-0.005 mbar 的氬氣壓力範圍內運行。
  7. 易於操作-系統操作和設置與標準的濺射鍍膜機非常相似,與離子束鍍膜器相比,不需要額外的清潔。

  208 HR
濺射源頭 低壓平面磁電管
快速更換靶材
環覆式暗區護罩
用於調節靶材的快門
靶材 Cr,Pt / Pd(標準)或IR(銥鍍膜機)
可選:Au,Au / Pd,Cu,Ni,Pd,Pt,Ta,Ti和W
濺射供應 微處理器控制
安全聯鎖
獨立於真空的恆定電流控制
數位可選電流(20、40、60或80mA)
腔體尺寸 150mm OD(6“)
可變高度,165-250mm(6.5”-9.8“),包括玻璃圓柱體(65mm 高和2個金屬墊片環)
載物台 手動傾斜0-90°的非重複行星旋轉運動
變速旋轉
石英沉積測頭
4樣品治具(需在訂購時指定)
電流 0-100mA
真空度 真空Atm-0.001mb
控制方式 自動洩真空和氬氣充氣清洗及進氣控制洩壓
自動的流程排序
帶有暫停功能的 數位計時器(0-300秒)
自動洩壓
厚度控制 具有終端功能的MTM-20控制器
真空幫浦系統
主體 渦輪增壓/旋轉幫浦組合
可選的 乾式渦旋幫浦代替旋轉幫浦
抽速 300升/分鐘,0.1mb
抽氣時間 1分鐘至1 x 10 -3 mb
極限壓力 1 x 10 -5 mb
桌面系統 旋轉幫浦安裝在防震台上
全金屬真空耦合系統
膜厚偵測器
MTM-20 微處理器控制
4位數位顯示,歸零鍵
6MHz晶體振動按鈕 ,使用壽命檢查,
更新速率5次/秒
厚度範圍 0.0-999.9nm
解析度 優於0.1nm
密度範圍 0.50-30.00gm / cm 3
工具係數範圍 0.25-8.00